ОАО
"ОКБ "Экситон"

"Экситон"
Полупроводниковые приборы.
Гибридные и интегральные микросхемы.
Проектирование, производство, поставка.


АО
"Экситон"
(завод)




 ГЛАВНАЯ
 Из истории

 Продукция
Транзисторы, диоды
Интегральные схемы
Гибридные ИС

  Документация
  серия:
  - 564
  - 765
  - 1526
  - 1564

  - 1304
  - 1333
  - 1352
  - 1368
  - 1374
  - 1453
  - 2606

 Услуги
 Проектирование
 Производство


 Контакты

 Вакансии












Проектирование заказных интегральных схем.

    Важнейшим направлением работ «ОКБ «Экситон» является разработка заказных интегральных схем (ИС).
Большой практический опыт в этой сфере позволяет создавать микросхемы по ТЗ заказчика в сжатые сроки с высоким качеством. В основном это КМОП радиационностойкие ИС для аэрокосмических применений, схемы повышенной надежности, а также и «коммерческие» ИС минимальной стоимости.

Основные технологические процессы, по которым реализуется разработка, производство и поставка заказных ИС:

КМОП 3мкм.
  Обеспечивается стойкость ИС до уровня 4У в специальных задачах.
  10 топологических слоев для стойких схем.
  2 слаболегированных «демпферных» слоя для истоков – стоков.
  1 слой поликремния, 1 металл.
  Ориентировочная продолжительность технологического процесса - 2 месяца;
  Характерное время задержки на внутреннем инверторе ИС – около 2.5 нс при напряжении питания 5В.
  Широкий диапазон возможных напряжений питания - от 2 В до 15 В (до 40В в специальных задачах).

Наработана библиотека схемных и топологических решений, позволяющая сократить период разработки до 1-2 месяцев для типичного случая.
Обязательно используется отлаженная система верификации проектов (DRC, Extraction, LVS, Spice-моделирование до и после разработки топологии).
Основные технологические ограничения можно посмотреть в документе _____
Ориентировочные модели транзисторов в файле - MOS3uL.spc,

Допустимо изменение параметров технологического процесса под конкретную задачу.

КМОП 1мкм.
  Обеспечивается стойкость ИС до уровня 3У в специальных задачах.
  10 топологических слоев.
  LDD - «демпферные» области для истоков – стоков.
  1 поликремний, 2 металла.
  Ориентировочная продолжительность технологического процесса 2-3 месяца.
  Характерное время задержки на внутреннем инверторе ИС – около 0.2 нс при напряжении питания 5В.
  Диапазон напряжений питания - от 2В до 6В (до 20В в специальных задачах).

Обязательно используется отлаженная система верификации проектов (DRC, Extraction, LVS, Spice-моделирование до и после разработки топологии).
Разработана и активно используется стойкая цифровая библиотека стандартных ячеек для автоматического синтеза схемы и топологии (syn, SPR).
Наработаны схемотехнические и топологические решения для разработки аналогово-цифровых модулей и ИС.
Основные технологические ограничения можно посмотреть в документе _____
Ориентировочные модели транзисторов в файле - MOS1uL.spc
Файл библиотеки для оценочного синтеза в формате Synopsys Liberty - RHZver8.rar
Файлы библиотеки для оценочного синтеза
в формате Mentor Graphics Leonardo Spectrum - ForLeonardo.rar.
Таблицы состава библиотеки - RHZlibrary.rar

Возможна разработка, производство, поставка ИС по другим техпроцессам, в том числе, субмикронным.
Обращайтесь за более подробной информацией при необходимости в отдел разработки ИС
по тел. 8-(49643)-7-02-64 или по е-mail: info@okbexiton.ru
 

2006 Экситон
mail: